SiCl4是光纤制造的关键原材料,其质量的高低决定着光纤的传输性能。SiHCl3是SiCl4中常见的一种含氢杂质,其含量的多少对SiCl4质量......

应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的“Si-C1-H”三元系的复杂化学反应，研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程......

根据相关热力学数据，首先计算并拟合得到Si-C1-H三元系中气相Cl与H原子的摩尔LL（ncl／nH）与反应达到平衡时的气相Si与C1原子的摩尔比（nsi......

在选取与实际生产相近的温度、氢气配比（H2与SiHCl3的初始比例）和压力的基础上,计算西门子体系中硅源气体SiHCl3的剩余量与副产物SiC......

运用广义梯度密度泛函理论(GGA)的PBE方法结合周期平板模型,计算了SiCl4,SiHCl3,H2,HCl在Si(111)表面的垂直吸附能和吸附结构。发......

随着我国经济的快速发展,尤其是电子产品市场,光纤通讯市场的扩大化,使得SiHCl3的发展速度迅速提升。但是由此带来的SiHCl3项目的......

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热等离子体的温度在1000K～20000K之间,处于局部热力学平衡的状态,具有高温、高焓、高能量密度、高活性的特点,已经在机械加工、冶金......

SiHCl3中杂质的含量直接影响多晶硅的品质,其杂质含量一般在×10-9级别,同时样品挥发性极强,因此分析的准确性受到极大的挑战。本......

为了获得高丰度的28S i同位素,生产高纯度的单晶硅,利用气体离心机对硅同位素进行离心分离。通过对S iH-C l3中组成元素的不同同位......

妥善处理四氯化硅是提高国内多晶硅生产能力、实现光伏产业可持续发展而必须解决的迫切问题。硅和四氯化硅耦合加氢反应制备三氯氢......